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MOS晶体管制造工艺外延工序的工作原理解析
信息来源： 时间：2022-8-23
MOS晶体管制造工艺外延工序的工作原理解析
外延
与上述所有制造工序不同，外延工艺只在工艺流程开始时使用一次。外延是在硅片顶层生长一层硅薄膜，将硅片置于含有硅的化合物例如SiH4的环境小，在1000到1200℃高温就可发生这一过程。MOS晶体管制造工艺外延。硅化合物的分子在热硅片表面上分解，这些自由化了的硅原子便按照底层晶格的形式排列在硅片表面上。这样，外延淀积的硅薄膜，在晶格排列上与底下的晶体完全重复。外延工艺的使用是为了使生长出来的薄膜的掺杂水平和／或掺杂类型可与底下衬底的不一样。MOS晶体管制造工艺外延。在CMOS工艺一节将会看到，这会构成明显的好处，优于均匀掺杂的衬底。
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