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MOS晶体管制造工艺的扩散工序工作原理解析
信息来源： 时间：2022-8-23
MOS晶体管制造工艺的扩散工序工作原理解析
扩散
用离子注入法淀积在硅表面附近的杂质原子，用称之为扩散的工艺被驱入硅内较深的位置。MOS晶体管制造工艺的扩散。把硅片置于高温炉内一定时间后（如1000℃，30分钟）就完成了这个过程，这一过程示于图10.4。
制造工艺流程进行时，有意或无意的就进行了杂质扩散，例如，当要形成深的掺杂层时，可把硅片置于高温下相当一段时间，有意识地使掺杂原子扩散相当长的距离。MOS晶体管制造工艺的扩散。然而，当希望在表面附近得到重掺杂的薄层时，则伴随必要的掺杂原子的活化和离子注入损伤退火而引起的杂质原子的扩散是不希望有的，因为这将使薄层增厚。MOS晶体管制造工艺的扩散。现代工艺中，除了CMOS要形成深“阱”外，掺杂原子的扩散一定要保持最小。由于这一原因，扩散很少作为一个单独的工序出现，大多是自然地发生于热氧化时或注入退火时，因为所有这些工艺需要相类似的温度与时间。
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