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MOS晶体管低中频小信号的等效电路模型重要特性
信息来源： 时间：2022-8-9
MOS晶体管低中频小信号的等效电路模型重要特性
在图8.13的小信号等效电路中加-噪声电流源便得出图8.29中的模型。噪声电流源的功率谱密度由式(8.5.2)给出。当采用这样一些模型来计算电路中的噪声时，我们不得不计算噪声电流和噪声电压的均方值或均方根值，而不是计算噪声电流和噪声电压的本身，这一点需要小心些。MOS晶体管低中频小信号的等效电路模型。这样一些计算的简便方法在电略设计的教科书中给出。
8.4节中讨论的非本征电阻也会表现出热噪声。这一效应可以通过给每一非本征电阻串联-噪声电压源来模拟，该电压源的功率谱密度为4kTR，其中只是与它相串联的非本征电阻的阻值。对于某一特定的器件结构，多晶硅栅电阻可能是噪声的显著贡献者。衬底电阻也是这样,衬底电阻的噪声通过衬底跨导gmb耦合到漏端电流。减小该效应的一种方法是减小gmb。MOS晶体管低中频小信号的等效电路模型。根据8.2节可知，这可通过增加源-衬底偏压VSB来实现。
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