MOS晶体管非本征部分的小信号的电阻特性分析

信息来源: 时间:2022-8-5

 MOS晶体管非本征部分的小信号的电阻特性分析

由于上面这些电容看来在图8.13模型中是与对应的本征电容相并联,所以它们很容易被合并到相对低频时的,完整的小信号模型中去。然而,一个非本征部分的更加完整的模型还应包括寄生电阻。这些电阻就是源区电阻,漏区电阻,衬底电阻和栅材料电阻。在高频时,电容阻抗的数值减小到了可与电阻值比较的值;因此,就应该考虑电阻。 MOS晶体管非本征部分的小信号的电阻。考虑电阻最简单的方法是用几个集总元件来近似表示电阻性的通路。图8.23表示了一个例子。图中具有下标s,d,g和b的电阻符号分别模拟源区,漏区,栅区和衬底的电阻性材料。可以利用经验规则来估计这些电阻值,但是它们与给定晶体管结构的细节关系很大。可惜,没有一个通用的规则可以用来确定这样一些效应变得重要时的频率,这一频率很大程度上取决于那些区域的电阻率,几何尺寸,接触方式等等。

 MOS晶体管非本征部分的小信号的电阻

 MOS晶体管非本征部分的小信号的电阻

    与早些时候结合图8.16a所定义的本征截止频率类似,对于完整的晶体管来说,也可把小信号电流增益变为1时的频率定义为截止频率。MOS晶体管非本征部分的小信号的电阻。由于存在非本征元件,所以,完整的晶体管的截止频率低于本征部分的截止频率。


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