MOS晶体管非本征部分的小信号的结电容特性分析

衬底-源结和衬底-漏结产生了小信号电容Cbse和Cbde。其中每个电容都是由结的“底壁”部分和“侧壁”部分引起的。需要作这一区分的原因是，在生产过程中，沟道区之外，表面附近的P型衬底的掺杂浓度需要提高，以形成“沟道阻断”区。因此，单位面积的侧壁电容大于单位面积的底壁电容(靠近表面处，典型情况下为2倍到10倍)。 MOS晶体管非本征部分的小信号的结电容。Cbse和Cbde的底壁部分可用单位面积电容来表示(单位是fF／μm²)。另一方面，单位面积侧壁电容与深度有关，不是常数。因而为了准确计算，通常必须在整个侧壁上进行积分。引起复杂程度进一步增加的原因是；侧壁不是“平面”，但近似为园柱面。对于近似计算，常常可以采用单位长度的有效侧壁电容(单位是fF／μm²)，只要把该电容乘以侧壁长度，就可得到总侧壁电容。在测量侧壁长度，不计与沟道接触的边，因为它不与沟道阻断区相邻。MOS晶体管非本征部分的小信号的结电容。按照上面所述，若As和C´js。表示源底壁面积和单位面积电容，ιs和C´js表示源侧壁长度(图8.21b)和单位长度电容，则有

与此类似，如果对于漏，有对应量AD，C´jd，ιD和C´jd，则我们有

C´j和C´j的值通常是在结的反偏电压(VSB和VDB)为零时所提供的。当反偏电压不为零时，通过假设一个如式(1.5.22)那样的函数关系，可以近似得到这些参数的新的值。

对于在CMOS芯片上的阱内器件，正如已经解释过的那样，必须考虑第三个结电容Cb´b对于这一电容，我们有

其中Aw和C´jw是阱的底壁面积和单位面积的电容，ιw是阱的侧壁长度(从上面看下去所见到的总周长)，C´jw是阱的单位长度侧壁电容。

MOS晶体管非本征部分的小信号的结电容。

显然，若有多个晶体管构成的一组晶体管在同一阱内，则在该组晶体管的模型中，Cb´b只能计一次。

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