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MOS晶体管在计算端电流时电荷的应用
信息来源： 时间：2022-7-25
MOS晶体管在计算端电流时电荷的应用
把VGS=VG-VS，VDS=VD-VS和VSB=VS-VB等关系代入已导出的各工作区中的电荷表达式，便可把它们写成为VD、VG、VB和VS的函数。正如从7.4.1节中的论述可知，如果端电压变化足够慢，使准静态工作得以维持，则时变电荷可用同样的表达式来确定，因此，式(7.3.16)中的偏导数便可确定。换而言之，我们有
这里，X和Y中的每一个都可代表D、G、B或S。因此，若端电压随时间的变化是已知的，则端电流便可从式(7.3.16)、(7.4.51)、(7.3.4)和(7.3.12)求得。
如果采用通用电荷薄层模型(7.4.5节)，由于通过式(4.3.18)可把表面势ψso和ψSL分别与VSB和VDB联系起来，则类似的方法仍可采用。不过，代数运算相当复杂。
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