MOS晶体管在计算端电流时电荷的应用

信息来源: 时间:2022-7-25

MOS晶体管在计算端电流时电荷的应用

把VGS=VG-VS,VDS=VD-VS和VSB=VS-VB等关系代入已导出的各工作区中的电荷表达式,便可把它们写成为VDVGVBVS的函数。正如从7.4.1节中的论述可知,如果端电压变化足够慢,使准静态工作得以维持,则时变电荷可用同样的表达式来确定,因此,式(7.3.16)中的偏导数便可确定。换而言之,我们有

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这里,X和Y中的每一个都可代表D、G、B或S。因此,若端电压随时间的变化是已知的,则端电流便可从式(7.3.16)、(7.4.51)、(7.3.4)和(7.3.12)求得。

如果采用通用电荷薄层模型(7.4.5节),由于通过式(4.3.18)可把表面势ψso和ψSL分别与VSB和VDB联系起来,则类似的方法仍可采用。不过,代数运算相当复杂。

 

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