MOS晶体管电荷与VGS的关系曲线图分析

图7.7中，我们已经见到过在强反型时；对于一固定的VGS值所绘出的电荷与VDS的函数关系曲线。为了显示出电荷在所有工作区内的特性，常常反过来把VDS固定在某广值，然后绘出电荷与VGS的函数关系曲线。绘制这样的曲线相当于在ID-VDS特性曲线(示于图7.8)上沿一条垂直线向上移动。随着VGS的增加，所遇到的区域依次是积累，耗尽，弱反型，中反型、饱和以及非饱和。回顾一下，对于近似强反型模型，定义非饱和为

从该式解出VGB，便得

这一公式右端的临界值已在图7.8中标出。当固定VDS=VDS1时，电荷与VGS的关系曲线绘于图7.9(中间的那条曲线给出了在反型和耗尽情况下的耗尽区电荷QB，以及在积累情况下的空穴电荷Qc)。若VDS选为VDS2，且VDS2>VDS1(图7.8)，则将得到虚线所示的关系曲线。注意，VDS仅仅使这些曲线在非饱和区有点差异。这是因为在积累和耗尽时，VDS根本不出现在那些电荷表达式中，这可从本节所导出的电荷表达式看出，另外，在弱反型，中反型，以及饱和时，也就是在图7.8中特性曲线的平直部分，此时漏已不能控制沟道了。

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