MOS晶体管准静态工作下电荷的计算积累重要性

和第2章中所说明的一样，当VGB比VFB足够低时,p型衬底中(这里空穴丰富)的空穴立即在氧化层下积累起来，并在那里形成一层很薄的高导电层。支持这些空穴所需的表面势是负的，但其值很小，因为空穴层是如此之薄(这一点可用附录H中的一般分析来证明)。因此在电势平衡方程(2.3.1)中，ψs可忽略，从而导致氧化层电势ψox＝VGB-ΦMS；这样，单位面积的栅电苞Q´G=C´oxψox。便可知道，再把它乘以栅面积可得

体内的空大电荷记作Qc，现在Qc可以从电荷平衡方程QG+Qc+Qo=0[见式(2.3.3)]求出，因此有

在文献中，式(7.4.48)中的Qo有时被忽略。在这样一些情况下，相应的QG式中采用VFB，而不是如式(7.4.47)那样采用正确的中ΦMS。

若VGB非常会近VFB，则式(7.4.47)的精度有些下降，这是因为此时积累并不严重，因而上面所用的论述不能真正成立的缘故，当精度要求特别高时，可采用附录H中的分析方法。

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