MOS晶体管耗尽准静态工作下电荷的计算重要性

在数字电路中，晶体管在导通和截止之间转换，因此截止的电荷在计算这类电路的瞬态响应时具有重要性，截止区由两个区域——耗尽和积累组成(图3.2)，我们在本小节和下一小节中讨论这两个区域。在耗尽区，反型层电荷可全部忽略，即

MOS晶体管耗尽准静态

因为这一点，所以QB和QG表达式的推导方法与7.4.4节中用于弱反型时的推导方法一样，所得结果也是同样的，为方便起见，重写于下：

MOS晶体管耗尽准静态

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