MOS晶体管准静态工作下电荷计算的弱反型特征

弱反型时，电荷的计算十分容易。首先，我们注意到单位面积的耗尽区电荷由式(4.3.14)给出，重写如下：

如4.6节中所见，在弱反型区(以及在耗尽区)，表面势Ψs实际上与位置无关，并用下式给出：

现在，考虑电荷中性方程QG+Qc+QI+QB=0。为了计算QG，可利用弱反型时QI《QB这一条件(4.6节)，这样，

    为了准确地求出QI，可利用4.6节中的说明，即Q´I在Q´I源和Q´I，漏之间的变化与位置成直线关系，如图4.16所示，这样

其中Q´I源和Q´I，漏的表达式已在4.6节中给出。由于Q´I是x的显式函数，入式(7.2.3a)，直接求出QI，结果是

与此类似，把式(7.3.9)中的q用Q代替，并利用式(7.4.35)，可得

实际上，以上三种电荷在瞬态计算中常常全部忽略，其理由是：源结和漏结耗尽区(在沟道以外，器件的非本征部分)所包含的电荷可用1.5节中的方法来估算。当然，由于通过源端和漏端所提供的电子必定会使n⁺中材料中的电荷发生变化(当VSB和VDB变化时)。对于典型的沟道长度，这些电荷和相应的充电电流比与反型层有关的电荷和相应的充电电流要大得多。因此，在弱反型时，源和漏的充电电流被器件的非本征部分所控制，并常用下面的简化式：

虽然我们正在考虑一个处于弱反型的晶体管的本征动态情况，但是可以看到，  已经导出的这些精确的电荷表达式也还是有用的。

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