MOS晶体管准静态工作下电荷计算的中反型特征

与建立漏端电流模型时的情况一样，在中反型区，未曾导出过简便的闭式的电荷表达式。建立电荷模型的通常的做法是忽略这个区域，而假设弱反型和强反型表达式所适用的VGS值的区域是紧挨的。这两个区域之间的分界，点常常取为，即VM(中反型区底部)的近似值。这样做对中反型区的电荷所引起的误差是不大的。然而，若企图通过对这些电荷求微分来获得电容表达式，则我们将会看到，产生的误差就比较大广。

    为了更好地模拟中反型区的电荷，可以利用经验公式，它们对应于平滑地连接弱反型区与强反型区的曲线而得出的电荷曲线。这样做时，重要的是，在过渡点上不仅要保持电荷的连续性，而且还要保持电荷对端电压的导数的连续性。这样，由电荷表达式将可导出连续的电容表达式(第8章)。和所有的经验公式一样，下面这一点也很重要：这些经验公式中的参数与工艺参数的关系是清楚的，因此，在无经验数据可用的情况下可以进行预测。

    正如将在7.4.5节中可见，导出一个适用于所有区域(包括作为特殊情况的中反型区)的模型是有可能的。但是，和建立通用的漏端电流模型一样，付出的代价是增加模型的复杂程度。

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