动作工作下的MOS晶体管-大信号建模作用

在假设所有端电压均为常数的情况下分析了MOS晶体管。然而，这种器件通常用于端电压是变化的电路。这种“动态”工作引起晶体管电荷的变化，而这些电荷的变化必须由外部流罕器件各端的额外电流来提供(这里“额外是指不是由直流理论所预测的电流)。

本章的主题是：计算动态工作下的各种电荷和各端电流，而对各个变量的大小不作限制，即讨论大信号动态工作下的MOS晶体管。我们将着重讨论源、漏之间的器件部分，包括反型层、耗尽区、氧化层和栅，即图7.1中虚线框内的部分。这部分称为本征部分，晶体管的作用主要与这部分有关。器件的其余部分构成非本征部分，限制晶体管整体性能的寄生效应与这一部分有关。器件的非本征部分我们将推后到第8章中讨论。另外，除非另有说明，本章中我们将假设器件具有长而宽的沟道和均匀的衬底。

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