简易与衬底反型的注入沟道MOS晶体管特性作用

从上述讨论应该清楚地看出，如果离子注入的剂量大且又不是浅注入，则会出现若干有害效应。这些有害效应包括低VSB时的强体效应，VGS和VSB值较小时ΔID／ΔVGS的衰减，弱反型时失去指数特性以及截止较慢等等。因此被注入的离子应该保持其能量为最小(但又必须足以保证使离子最终到达半导体而不是氧化层)，同时还要避免高温处理，以防止离子向内散布。然而，从穿通角度来考虑，所提的要求与上述相反，或者如已经讨论过的那样干脆采用两重离子注入。还应注意，本节所讨论的离子注入器件，其迁移率有所降低。这是因为增加有效掺杂会在反型层中产生更强的电场，因而使表面散射增加(4．8节)。和4.8节一样，有效迁移率方法可以用来模拟迁移率因垂直电场而下降的这一现象。注入器件中的短沟道和窄沟道效应尚未得到充分的描述。这些效应在注入器件和非注入器件中是定性相似的，尤其是在浅注入和小剂量的情况下。但是，已经发现深注入和大剂量注入有时会导致一些“反常”的短沟道效应，诸如阈值电压随沟道长度的减小而增加。

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