与衬底弱同型的注入沟道MOS晶体管特性

信息来源: 时间:2022-7-13

与衬底弱反型的注入沟道MOS晶体管特性

现在,让我们简单地看一下弱反型特性。ID与VGS的关系曲线看来如图6.7所示。对于较大的VSB,耗尽区的边在注入区之外,器件特性与非注入器件的特性定性相似。斜率和以前一样,正比于1/n,n由式(4.6.20)给山,γ=γ2,且由式(6.2.11)给出。但是,对于较小的VSB,耗尽区的边在注入区之内,γ=γ1,并由式(6.2.4)给出,因而n就大,斜率就小。对于低电压的数字应用来说,这可能会产生问题,因为此时,为使器件截止,VGS的“摆幅”必须更大。此外还请注意,随着VGS的增加,耗尽区的边可能会移过一个杂质浓度大幅度变化的区域(从注入区中心到它的“边缘”),于是,n就不能定义为一个简单的值了,InID对VGS的斜率是变化的,如图6.7所示;ID与VGS不再成指数关系了。

与衬底弱反型的注入沟道MOS晶体管特性


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