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与衬底弱同型的注入沟道MOS晶体管特性
信息来源： 时间：2022-7-13
与衬底弱反型的注入沟道MOS晶体管特性
现在，让我们简单地看一下弱反型特性。ID与VGS的关系曲线看来如图6.7所示。对于较大的VSB，耗尽区的边在注入区之外，器件特性与非注入器件的特性定性相似。斜率和以前一样，正比于1/n，n由式(4.6.20)给山，γ=γ2，且由式(6.2.11)给出。但是，对于较小的VSB，耗尽区的边在注入区之内，γ=γ1，并由式(6.2.4)给出，因而n就大，斜率就小。对于低电压的数字应用来说，这可能会产生问题，因为此时，为使器件截止，VGS的“摆幅”必须更大。此外还请注意，随着VGS的增加，耗尽区的边可能会移过一个杂质浓度大幅度变化的区域(从注入区中心到它的“边缘”)，于是，n就不能定义为一个简单的值了，InID对VGS的斜率是变化的，如图6.7所示；ID与VGS不再成指数关系了。
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