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MOS短沟道器件势全下降-二维电荷共享和阈值电压总结
信息来源： 时间：2022-6-30
MOS短沟道器件势全下降-二维电荷共享和阈值电压总结
我们已经看到，有几种因素会影响有效阈值电压的值。根据长沟道器件的一般表达式，以及上述关于小沟道的讨论，我们可以定性地总结出以下几条；
有效阈值电压将会增加，当：
1.衬底掺杂浓度增加。
2.氧化层厚度增加。
3.沟道长度增加。
4.沟道宽度减小。
5.结深减小。
有效阈值电压的概念代表我们为了使一些众所周知的公式（针用的情况下仍能对长沟道和宽沟道器件所导出的）在原则上不适保持原有形式所作的一种努力。在这一节中我们已经介绍了一些摘自文献的关于这种方法的有代表性的例子。如上所述，在这种方法中，不可避免地采用了一些任意的假设（或者至少是未经仔细证明的假设）。这是经验模型的典型表现。虽然这种方法经常提供实用的结果，但有时还是把注意力过多地集中于根据一些任意假设去导出复杂的模型，而不是更多地去考虑这些假设的适用性。虽然最后所得到的模型可能是建立在不适当的假设基础之上的，但由于它们包含了大量按经验“调节”的参数，故仍能模拟实际器件。
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