MOS晶体管的增强型晶体管和耗尽型晶体管

考虑式（4.4.30）这一简单模型。根据VTO的正负号，MOS晶体管可分为两大类。VTO为正的n沟晶体管称为增强型（或“常态截止”型）器件；而VTo为负的n沟晶体管称为耗尽型（或“常态导通”型）器件。这些名称起源于早些年代，那时弱反型被忽略，并且认为n沟晶体管在VGS>VTO时导通，在VGS<VTO时截止（假设VSB=0）。因此，若VTo为正，则在VGS==0时晶体管截止，取一个正的VGS来“增强”沟道，从而使器件导通。若VTo为负，则在VGS=0时，n沟器件已经导通，取一个负的VGS来“耗尽”沟道，从而使器件截止。对于p沟器件，负的VTo对应于增强型，正的VTo对应于耗尽型。在lVDSl很小的条件下，四种类型器件的ID-VGS特性示于图4.26。

VTO值原则上可在制造时通过浅离子注入来调整。在这种工艺中，器件受高能离子轰击。如果所有这种离子都能停留在氧化层-半导体界面上，则它们的效果将与式（2.2.6）中的Qˊ_o相同。这样，VFB值就可得到调节，而VFB又可调节式（4.4.27）中的VTO。然而实际上离子注入不可能那样浅，散布的离子进入衬底可能产生二次效应，因此最终得到的器件无法在本章中得到精确模似。离子注入器件将在第6章中讨论。

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