MOS晶体管的增强型晶体管和耗尽型晶体管

信息来源: 时间:2022-6-24

MOS晶体管的增强型晶体管和耗尽型晶体管

考虑式(4.4.30)这一简单模型。根据VTO的正负号,MOS晶体管可分为两大类。VTO为正的n沟晶体管称为增强型(或“常态截止”型)器件;而VTo为负的n沟晶体管称为耗尽型(或“常态导通”型)器件。这些名称起源于早些年代,那时弱反型被忽略,并且认为n沟晶体管在VGS>VTO时导通,在VGS<VTO时截止(假设VSB=0)。因此,若VTo正,则在VGS==0时晶体管截止,取一个正的VGS来“增强”沟道,从而使器件导通。若VTo为负,则在VGS=0时,n沟器件已经导通,取一个负的VGS来“耗尽”沟道,从而使器件截止。对于p沟器件,负的VTo对应于增强型,正的VTo对应于耗尽型。在lVDSl很小的条件下,四种类型器件的ID-VGS特性示于图4.26。

增强型晶体管和耗尽型晶体管

VTO值原则上可在制造时通过浅离子注入来调整。在这种工艺中,器件受高能离子轰击。如果所有这种离子都能停留在氧化层-半导体界面上,则它们的效果将与式(2.2.6)中的Qˊo相同。这样,VFB值就可得到调节,而VFB又可调节式(4.4.27)中的VTO。然而实际上离子注入不可能那样浅,散布的离子进入衬底可能产生二次效应,因此最终得到的器件无法在本章中得到精确模似。离子注入器件将在第6章中讨论。

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

推荐文章