P沟MOS晶体管特性曲线及对三个不同的VSB分析

若衬底由n型材料制成，而源（漏）区由p⁺型材料制成，这就构成我们知道的p沟MOS晶体管或PMOS晶体管。图4.24表示了这样一个器件。p沟晶体管特性的一个实例示于图4.25，p沟晶体管的工作情况与n沟的工作情况是“对偶”的。电子的这一角色由空穴来扮演，电离受主原子的这一角色由电离施主原子来扮演。将关于n沟器件的一些论述作简单的修正以后就可适用于p沟器件。例如，在图4.24中，栅-源电压越负，靠近表面的空穴浓度越高。漏-源电压越负，则源到漏的空穴流越强，因而漏端电流就越负（假定电流的参考方向选得和以前一样，即从漏通过沟道到源）。源-衬底偏置电压越负，被耗尽的施主原子数越多。

体效应系数由下式给出：

式中ND为衬底中施主原子的浓度。

在描述p沟器件时，模型公式中有一些很明显的正负号的改变。例如，代替式（4.4.25），将有

代替式（4.4.26b），将有

式中VSB和中ФB均为负值。代替式（4.4.27），有

关于p沟器件的各种公式，将在题4.22中讨论。在低栅压条件下，p沟器件的有效迁移率值为n沟器件的，典型值为25μm²/（V·ns）。

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