四端MOS结构中反型基本特性作用解析

如表4.1已定义，当一个MOS晶体管的反型最强的沟道末端处于中反型时，我们就说该晶体管“工作在中反型区”^【73】。仿照我们前面的习惯【见式（4.4.1）下面的脚注】，假定这一末端就是邻近源的一端。这意味着

或

于是根据3.1，并用S代替其中的C，对于一给定的VSB，可以得到用VGB表示的中反型条件：.

或者以VGS表示，

其中VGBH和VH由式（4.4.5）至（4.4.6）给出。根据式（3.4.5）和（3.4.9），用S代替其中的C，有

晶体管在这一工作区内的ID-VDS特性，其形状大体上和强反型区的曲线相似（图4.3），但它不能用强反型公式精确地描述，这是由于如4.3节中所说明的，在中反型区漂移分量和扩散分量对漏端电流都有重要影响的缘故。对于这一工作区，目前尚不知道有较方便的简化式。因此可以采用4.3节中的适用于所有工作区的通用模型或采用半经验模型^【60,61】。

在文献中，经常完全不考虑中反型区，而是把它假定为强反型区之底部，并使用4.4节中的强反型公式。然而，由于在中反型区沟道中没有一点是处于强反型的，故那些强反型公式，诸如式（4.4.7）将会带来误差，因而这些公式为基础的模型也是有误差的。为了设法“扩展”强反型公式的适用范围，有时把这些公式中的一些参数考虑成栅电压的函数，例如式（4.4.7）中的ф_B或式（4.4.26）中的VT^【46】。

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