四端MOS结构的强反型及其函数形式分析

从表4.1可知，若把一个品体管说成“工作在强反型区”，则其沟道至少要有一端处于强反型。让我们任意假设漏端的反型程度较源端弱^①，即

四端MOS结构的强反型

这个假设若用VDS=VDB-VSB来表示，则可等效地写成下式：

四端MOS结构的强反型

于是，我们可用源端的反型程度来表示晶体管的强反型工作条件。我们可以利用第3章中对图3.10或图3.1d结构所导出的适当条件，并简单地用源端S去代替那里的C端。这样，根据表3.1，强反型条件可写成下式

四端MOS结构的强反型

或者用图4.2b中的VGS=VGB-VSB表示：

四端MOS结构的强反型

其中

四端MOS结构的强反型

式中的V2为零点几伏（对于实际器件，在室温下为0.5至0.6V。Va随VsB的增加略有减小）。

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