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四端MOS结构晶体管的工作区及其特性解析
信息来源： 时间：2022-6-14
四端MOS结构晶体管的工作区及其特性解析
晶体管的工作区
一个NMOS晶体管的典型的直流电流-电压特性曲线簇示于图4.3a和b，它们分别对应于图4.2a和图4.2b。这些曲线中的细节问题将在以后讨论。一般情况下，漏端电流ID以一种复杂的方式依赖于端电压。但是在端电压的某种组合下，有可能作些简化，因而可导出相对简单的电流表达式。预先考虑到这一点，所以，我们将如表4.1中所说明的那样定义晶体管的工作区。这些定义与长期的实践是一致的，其基本原理将在后续节中阐述。作为一种助记方法，应当注意，晶体管工作区的名称与沟道中反型最强的一端处的反型程度是一致的。
为了方便起见，在画某些图（如图4.2）或提供某些曲线时，除非另有说明，否则将假设反型最强的沟道末端是靠近源的一端。这样做并不限制其普遍性，因为在图4.1中源端和漏端是等效的。
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