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二端 MOS结构中反型的一般关系式解析
信息来源： 时间：2022-6-6
二端 MOS结构中反型的一般关系式解析
二端 MOS结构中反型
在中反型区，上述简化公式没有一个是适用的。该区内的Q´I（VGB）曲线既不是直线，也不是指数曲线。若需知该区内的精确结果，则可采用完整公式（2.5.7）和（2.5.18），也可用经验公式（例如多项式逼近）。
正如早已注意到的，在许多处理方法中，没有定义中反型区。有时把强反型区的底部看作中反型区。在有些论述中，定义这样一个点（落在我们所说的中反型区内某处），并假设正好在该点之下，Q´I（VGB）是指数曲线，正好在该点之上，Q´I（VGB）是直线。这样的模型可能导致较大的误差，这一点表示在图2.11中。图中把根据式（2.5.7）和（2.5.18）算得的Q´I与用近似公式（2.5.43）和（2.5.28）算得的Q´I进行了比较。可见在中反型区内，两个近似公式都不能提供满意的精确度。
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