高速BiCMOS工艺及器件结构性能解析

信息来源: 时间:2022-5-18

高速BiCMOS工艺及器件结构性能解析

高速BiCMOS工艺及器件结构

由于工艺技术的进步,高速BiCMOS工艺日趋成熟,已有多种产品供应市场。

典型的高速BiCMOS工艺剖面结构如图7.13所示。它以外延双阱CMOS工艺为基础,在N阱内增加n+埋层和集电极接触n+注入,以减小双极管的集电极串联电阻image.png;P型注入制作基区。发射极一般采用多晶硅掺杂形式,与CMOS器件的栅一致,形成多晶硅发射极双极管,因此原则上不需要增加重要的工序。

高速BiCMOS工艺及器件结构

应该指出,在BiCMOS工艺中,由于形成双极管时借助了短沟CMOS工艺流程中不少微细加工先进工艺,因而双极管的高频性能非常好。例如用2μm工艺制成的BiCMOS中的双极管的fT(截止频率)可达4GHz以上,为制成超高速的VLSI提供了极为有利的条件。


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