GaAs高速多路器和解多路器及整体结构解析

高速多路器和解多路

高速多路器对多点采样，实时讯号处理十分重要。采样点越多，要求采样的速度越快。每秒4Gbit的超高速GaAs 16：1多路器和解多路器就是为此目的而研制的。所用的器件是弱耗尽MESFET，开启电压为-0.07V，以此达到高速，低功耗。

多路器电路由主从触发器单元电路所组成。每个单元电路包括一级前置放大器和一个主从D触发器，电路如图7.11所示。由图可见，前置放大器是差分放大形式，有一个2-1选择器，由选择讯号S及所控制。被放大的讯号在时钟负半周（即为高电平）时进入主触发器；在时钟正半周（即CK为高电平）时数据由从触发器输出。

高速多路器和解多路

多路器的整体结构如图7.12所示，其中M为上述的单元电路。16个数据源分成8组，每组2个数据源分别输入8个主从触发器，经选后产生8个输出讯号，这8个输出讯号再输入到4个主从触发器，如此逐级继续，最后输出1个讯号作为多路器的输出。

高速多路器和解多路

实测表明，这样的电路可以达到很高的速度：最高工作频率为7.7GHz，最快的数据输出率为每秒4G位。

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