分析冗余技术及有两种程序化的方法解析

信息来源: 时间:2022-4-13

分析冗余技术及有两种程序化的方法解析

冗余技术

在RAM中采用一个个单元的代替方法是十分困难的,而是做些备用的单元行和列及其相应译码器以代替失效的行和列。这种替代都是在芯片中间测试时完成的。首先通过测试记下失效的单元行、列,然后把它们割开,把备用的行、列连上去代替,最终再进行一次核实测试。这个过程叫冗余的程序化,有如下两种程序化的方法:

1、电程序冗余

以备用列替代为例。如图3.59所示,每个列地址输入处加上电程序电路。

冗余技术

电程序电路由负载为可熔断的多晶硅电阻的两级反相器及异或门比较电路所组成。在中测时将失效列的一组列地址码记下来。记的方法是使列地址码暂停在失效列地址码,VP加上一个高压(~25V)的正脉冲,根据失效地址码是“0”还是“1”熔断R2或R1,由此在输出的AP就记下了该列地址的失效码AP。由于130R1和R2中之一已熔断,A1的讯号变化再也不能传到电程序电路的输出端。如果要求代替的失效列是多个,那末就应加上多个上述的电程序电路。

在正常工作时,Ai不断变化,通过异或门与AP进行比较,比较的结果由Ci输出,只有Ai=AP时Ci=0,否则Ci=1。对所有列地址输出的Ci(例如C7~C13)进行“或非”,只有Ci均为“0”的情况才能输出高电平,由这个讯号去选中备用列。实际上这个“或非”门就是备用列的译码器,在选中备用列的同时要求关闭失效列。图3.60是采用备用列的RAM列译码电路方案。它分两级列译码,第一级是A7~A11,第二级是A12、A13。将备用列译码讯号与A12、A13一起“或非”,一旦备用列选中时关闭正常的列译码门管。相反,当列地址A7~A13不是失效列地址组时,备用列译码讯号为低电平,备用列被封死,正常的输出不受影响。

冗余技术

2、光程序冗余

这种方法用得更为普遍。虽然在设备方面投资较贵,但用起来十分方便。

图3.61是一个光程序冗余64K RAM的实例。它被分成四块,每块为16K,各配有两个备用行,同时每两块16K还各配有四个备用列。

冗余技术

各备用行、列均相应配以备用的行、列译码器。图3.62为两种行译码器,一种是正常的行译码器,另一种是备用的行译码器,图image.png,可以用于切断对失效行译码;备用译码器除了输出端有image.png外,输入端用所有地址的正反码同时输入相“或”,每个输入管上均接有一个image.png,以作为该译码器进行编码而用。

冗余技术

在测试中发现失效的行或列,进行记忆,并通过计算机控制精密定位移位的激光束将它们相应的译码输出端熔断,然后再补上备用译码器及相应的单元行或列。备用译码器的替换也是用光程序的方法,将备用译码器中连接各输入管的image.png的一半熔断,使有效的地址码与失效译码器的完全相同,由此完成光冗余替代。如果不需要用备用行、列,就可以把它们的输出端的image.png熔断掉。

这种冗余技术简易、明确,关键在于需要一个与中测设备相配套的计算机精密控制的可定位的激光束熔断装置。目前,这种精密设备已经商品化。

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

推荐文章