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NMOS DRAM性能指标和读写周期工作波形图分析
信息来源： 时间：2022-4-1
NMOS DRAM性能指标和读写周期工作波形图分析
DRAM内部虽然电路比较复杂，有众多的时钟，但是从外特性来看是十分简单的。例如，一个标准256K DRAM，采用16腿的双立直插封装，16腿的分配为电源
、地
、输出
，输入
、9个地址（行、列共用）、3个外控制时钟
、
和
。
图3.33为DRAM读出写入的工作波形。它是周期性工作，一个周期内包括预充时间和工作时间两部分，这体现在
的波形上，高电平为预充，低电平为工作。为了使用方便，读、写周期的时间是一致的，实际上一般写入可以比读出快。从电平下降点至数据从输出级读出的时间tAC叫做取数时间。当、
保持高电平，电路不工作，叫做维持状态。
一个DRAM的主要性能指标如下：
（1）取数时间tAC；
（2）工作周期最短时间tRC；
.（3）工作功耗；
（4）维持功耗；
前两项速度指标必 在规定负载电容下进行测量，否则就无法比较，一般规定CL=100pF。DRAM要求有一定的工作周期，进行同步工作。
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