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分析NMOS DRAM译码电路的主要作用
信息来源： 时间：2022-3-31
分析NMOS DRAM译码电路的主要作用
由前述可知，在DRAM中地址译码采用分时形式。图3.31是x译码电路，其中фPD为译码器的预充时钟。电路采用NOR门形式，由Ao（Ao）至A7（
）8个来自地址缓冲器的地址码NOR。фvx是译码输出的锁存时钟。фx是驱动字线的时钟，它对选上的字线有自举作用。因此使选上字线得到好的高电平。同时，也增强对该字线的驱动能力，缩短字线的延迟。这对提高电路的速度起着重要的作用。
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