分析NMOS DRAM译码电路的主要作用

信息来源: 时间:2022-3-31

分析NMOS DRAM译码电路的主要作用

由前述可知,在DRAM中地址译码采用分时形式。图3.31是x译码电路,其中фPD为译码器的预充时钟。电路采用NOR门形式,由Ao(Ao)至A7image.png)8个来自地址缓冲器的地址码NOR。фvx是译码输出的锁存时钟。фx是驱动字线的时钟,它对选上的字线有自举作用。因此使选上字线得到好的高电平。同时,也增强对该字线的驱动能力,缩短字线的延迟。这对提高电路的速度起着重要的作用。

NMOS DRAM译码电路


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