电子技术论坛
解析热载流子效应的轻掺杂漏区结构（LDD）
信息来源： 时间：2022-3-9
解析热载流子效应的轻掺杂漏区结构（LDD）
为了减弱热电子效应，提出了多种器件结构的改进方案。目前比较成功的通用方法是采用轻掺杂漏区结构，简称LDD。其结构是在D区靠沟道一侧做一个很短（约0.2~0.3μm）的n-区，作为漏电场的缓冲区。这样的结构会使漏区的Em大大下降。图2.12是LDD的结构图及n-为各种值时计算出的漏区电扬分布，并与无n-区的普通结构进行比较。
由图可见，无n-的普通结构的最大电场Em为2.5×105V/cm以上，超过了临界电场。但当用n-=2.3×1017cm-3的LDD结构时，Em小于1.5×105V/cm，达到安全工作区。由此可见LDD对抑制热电子效应的明显效果。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
