信息来源: 时间:2022-3-9
为了减弱热电子效应,提出了多种器件结构的改进方案。目前比较成功的通用方法是采用轻掺杂漏区结构,简称LDD。其结构是在D区靠沟道一侧做一个很短(约0.2~0.3μm)的n-区,作为漏电场的缓冲区。这样的结构会使漏区的Em大大下降。图2.12是LDD的结构图及n-为各种值时计算出的漏区电扬分布,并与无n-区的普通结构进行比较。
由图可见,无n-的普通结构的最大电场Em为2.5×105V/cm以上,超过了临界电场。但当用n-=2.3×1017cm-3的LDD结构时,Em小于1.5×105V/cm,达到安全工作区。由此可见LDD对抑制热电子效应的明显效果。
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