信息来源: 时间:2022-3-9
为了保证Em<Eo,沟道长度L必定有下限,电源电压必定有上限。
由(2.8)式可得:
其中。
(2.9)式中的代入上式,并考虑在最坏情况,VG=VD使Ig达到Igmax,由此可得:
图2.11为用上式计算不同tox下的VDmax与Leff的关系以及按Ig≈10-15ID。的实测结果。两者符合较好。Leff越小,tos越小则VDmax越小,即额定的最高电源电压不能高。例如,Leff=1μm,tos=20nm,由图2.11得?VDmax≈4V。如果在这种情况卡采用5V电源,那末必须在工艺结构上采取必要的改进措施,减弱热电子效应。
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