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分析MOS管电荷模型的线性区-饱和区-截止区方式说明
信息来源： 时间：2022-3-1
分析MOS管电荷模型的线性区-饱和区-截止区方式说明
实际上，MOS作为四端器件用端电压或端电荷都可以表示它的状态，只是用端电荷QG、QB、QS、QD表示有些不习惯。由上述可知，用Q表示可以保持电荷守恒，但确有不便之处，其原因为QS和QD是沟道总电荷QG分割而得。如何将QG合理分割成QS和QD是个难题，本节第三部分将对此进行专门的分析。
MOS管在不同工作区有不同的电荷密度q的表达式：
1、线性区
其中a就是(1.44)式所表示的系数。
如图1.28所示，沿着沟道各处
不同，
也不同，即
，
及
如也应是
的函数。
总电荷量Q由q对总面积而得：
而 
代入(1.84)式，得
将(1.83)式代入上式进行积分，并以(1.43)式的IDS代 入而得QG的表达式：
类似的方法可求出：
2、饱和区
3、截止区
