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MOS场效应管源漏寄生串联电阻的影响
信息来源： 时间：2022-2-25
MOS场效应管源漏寄生串联电阻的影响
随着器件尺寸的缩小，S/D区pn结深度变浅，接触孔面积变小，使源漏区的寄生串联电阻Rs、RD变大。图1.25表示存在Rs、RD情况下器件的电位情况。
Rs、RD作为器件的一个寄生元件是采用任何一种测量手段都不可避开的，也是在电路模拟中必须考虑的重要因素。
由图可得：
先考虑VDS比较小的情况，在线性区有
其中θo是不考虑Rs、RD的迁移率修正系数。
将（1.61）及（1.62）代入（1.63）可得：
化简：
由于IDS、VDS较小，所以忽略它们的二次方项，可得如下的简化公式：
其中
由此可见，可以把源漏寄生串联电阻的影响等效成有效迁移率纵向场衰退系数θ的增加。
RS、RD使IDS下降，器件跨导gm下降。因此，它是提高短沟器件速度的不利因素，应该在工艺上采取措施减小它们。
值得注意，公式（1.65）与（1.66）是在VDS、IDS比较小的条件下推出的，但公式（1.66）已作为一个通用公式在各种VDS下应用。当VDS较大时不可避免会带来较大的误差。
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