MOS管器件线性区公式分析及基础原理详解

MOS 2模型中的线性区采用类似于MOS 1大尺寸器件公式（即Shichman-Hodges公式），仅对开启电压和有效迁移率进行修正。其表达式为：

其中是与窄沟效应有关的系数，为短沟衬偏系数，采用（1.18）公式。

由（1.38）式可见，虽然已经作了不少近似和简化，但计算公式仍然很繁。

MOS 3线性区的推导方法与MOS 2有所不同。为了公式简化，避免（1.38）式中的3/2次方项带来的计算麻烦，把计算中的V（y）作为小量进行台劳展开。

其中

前面一项是V_T（y）公式中V（y）的平方根项的一级台劳展开系数；后面一项是窄沟效应系数（见（1.25）式）。

由此可得到IDS较简洁的解析表达式：

但这个公式本身有严重问题，因为台劳级数展开近似式必须满足，而实际的工作条件一般为_。这样的近似必然引入很大的误差，这也是MOS 3模型在实际中无法应用的原因。

较好的办法是用最小平方逼近法近似代替3/2次方项，其方法如下。令

则可得

当时，则有

将（1.41）代入（1.38）式，可得：

其中

（1.43）公式可以看成大尺寸和小尺寸器件的通用公式，两者只是VTB的公式及a中的y和η不同而已。这个公式在形式上与Sah方程很相似，只是在项上增加了一个系数a。

联系方式：邹先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助