分析互补MOS与非門基本原理及其电路

信息来源: 时间:2022-2-16

分析互补MOS与非門基本原理及其电路

用图7-21所示的互补电路就可以实现“与非”的逻辑功能(但其功耗最小)。现在考虑一个三端输入的“与非”門。P-沟道元件为并联连接,而N-沟道元件都为串联连接。用+Vo和0伏电压作为讯号电平,无论这两种讯号在输入端为何组合,当栅极不是处于转换信号的时刻,至少有一只关态晶体管会阻塞偏压电源到地的电流通路。

互补MOS与非門

除了所有输入均为人+Vo之外,至少有一只N-沟道晶体管关断,和一只P-沟道晶体管导通。因而输出为+Vo。如果所有的输人均为+Vo时,那么所有的N-沟道就导通而所有的P-沟道器件就关断。只有这种情输出才降到零。这么一来,设“1”状态相应于+Vo伏,而“0”状态相应于0伏,电路就实现了“非与門”的功能。和§7.6一样(§7.6中还有P-沟道倒相器),在非与門的后面接一级互补的倒相器(要加以适当的偏压)就可以制得“与門”。


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