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分析互补MOS与非門基本原理及其电路
信息来源： 时间：2022-2-16
分析互补MOS与非門基本原理及其电路
用图7-21所示的互补电路就可以实现“与非”的逻辑功能（但其功耗最小）。现在考虑一个三端输入的“与非”門。P-沟道元件为并联连接，而N-沟道元件都为串联连接。用+Vo和0伏电压作为讯号电平，无论这两种讯号在输入端为何组合，当栅极不是处于转换信号的时刻，至少有一只关态晶体管会阻塞偏压电源到地的电流通路。
除了所有输入均为人+Vo之外，至少有一只N-沟道晶体管关断，和一只P-沟道晶体管导通。因而输出为+Vo。如果所有的输人均为+Vo时，那么所有的N-沟道就导通而所有的P-沟道器件就关断。只有这种情输出才降到零。这么一来，设“1”状态相应于+Vo伏，而“0”状态相应于0伏，电路就实现了“非与門”的功能。和§7.6一样（§7.6中还有P-沟道倒相器），在非与門的后面接一级互补的倒相器（要加以适当的偏压）就可以制得“与門”。
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