解析复杂的集成MOS阵列基础原理分析

应用前节所述的P-沟道MOS倒相器、触发器、与門，或門、或非門以及与非門，就可以制作非常复杂的MOS数字阵列。

复杂的集成MOS阵列

图7-13是复杂数字阵列的示例，它是“飞歌-福特公司通用微电子学部”制作的20-位串行移位寄存器，其中使用120个集成的MOSFET标准逻辑元件，采用新的技术使之与制作复杂的P-沟道阵列的工艺结合起来，相当复杂的互补MOS阵列也开始发展起来。这些所谓的“第二代”MOS阵列下一节就要论及。

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