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MOS管P-沟道倒相器基本基础电路原理详解
信息来源： 时间：2022-2-9
MOS管P-沟道倒相器基本基础电路原理详解
P-沟道倒相器
图7-8所示的倒相器电路可能是最简单的P-沟道数字“标准准逻辑元件”。如果使用的逻辑电平为-VO伏和0伏，输入端加上任何一个电平电压时，输出端就得到另一个电平电压。晶体管Q1连接成§7.2所述的共栅-漏组态，它是作为负荷电阻用的。为了简化对电路的定性描写，我们假定所有晶体管的阈值电压都是零，那么，输入端加上-VO电压将使晶体管Q2导通，从而使电源电压大部分都降落在晶体管Q1上。
因此，输出电平就近似地等于零伏。如果输入电压为零，晶体管Q2就完全关断，而所有的电源电压就跨接在它上面，这时，输出为-VO伏。为了确保倒相电路的工作，晶体管1和2的跨导比应在1：10左右。通常通过两只晶体管沟道宽度的设计来实现1：10的跨导比。倒相电路有时也叫做“非门”。
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