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MOSFET作为限流元件-三种限流器电路图分析
信息来源： 时间：2022-1-24
MOSFET作为限流元件-三种限流器电路图分析
正象齐纳的二极管可以用来限制电压低于某一个数值那样，MOS晶体管也可以用来限流。实际上，比较一下两种器件的I-V特性就可以看到，两种特性彼此相对。
因为MOS工作于区1时其开态电阻不为零，所以，这对MOS器件作为一个理想的限流器是有所妨碍的，因而和齐纳二极管也不完全相应。当外加电压足以使器件工作到区2时，晶体管便能起到限流的作用。
MOS晶体管作为限流的三种电路组态示于图6-14 a-c。因为耗尽型元件在零栅压时就有导电的通道，所以，限流数值不为零时不要施加栅压；这时所用的电路如图6-14a所示，它所限制的电流值是原始沟道尺寸的函数。对于耗尽型元件可以施加正或者负的栅压来调变其限流器数值。此如图6-14b所示。对于N-型沟道增强型元件，要使限流数值不为零必须加上正栅压，此如图6-14c所示。总之，MOS器件（其I-V特性与图6-13b相仿）所限制的电流是在A和A′端点之间。虽然图6-14a-c仅用N-沟道元件，实际上，P-沟道MOSEET也可以用作限流器。
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