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解析MOS源跟随器电路及其结构特性
信息来源： 时间：2022-1-21
解析MOS源跟随器电路及其结构特性
MOS源跟随器电路可以达到输入阻抗高而输出阻抗低的目的，这时增益稍小于1，同时讯号相位没倒相。源跟随器的电路结构示于图6-8。和MOS放大器一样，偏置电阻RA和RB的阻值足够高，因而增益的表示式不包含RA和RB，隔直电容C的情况也是这样。
应用图6-3MOS的等效电路，我们就可以按照6.3.1所用的程序来推导MOS源跟随器的增益。推导过程，完全依照前面的思路。源跟随器低频增益的结果为
对于饱和特性良好的MOS晶体管，放大因子μ=8gm RD远大于1，那么（6·19）便简化为：
因为晶体管本身的输入阻抗是如此地高，因而源跟随器的输入阻抗受到电阻RA和RB的限制，低频时，输人阻抗为
低频时源跟随器的输出阻抗为
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