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用MOSFET作射频放大器及其工作范围解析
信息来源： 时间：2022-1-20
用MOSFET作射频放大器及其工作范围解析
考虑图6-4线性放大器电路，其中应用N-沟道增强型的晶体管。线性放大的动态范围直流工作点是由负荷电阻，偏置电源电压，电阻RA和RB（决定其直流的工作栅压）以及MOSEFT本身的特性性来决定的。MOSFET作射频放大器。当MOSFET被偏置到线性放，就可应用图6-3的等效电路。下一节还要应用等效电路来推导放大器增益的表示式。
如前所述，上述放大器中只有在相当低的RF频率时才能应用增强型元件。工作频率较高，则可以采用栅极偏置的耗尽型元件或者MOS四极管。四极管的结构示于图6-5。（注意当中的N+扩散区没有电极接线。）MOSFET作射频放大器。当感生N-型沟道延伸在漏和源之间的整个导电通路时，栅极2起了静电屏蔽的作用，从而减小有效的负反馈电容。
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