用MOSFET作射频放大器及其工作范围解析

信息来源: 时间:2022-1-20

用MOSFET作射频放大器及其工作范围解析

考虑图6-4线性放大器电路,其中应用N-沟道增强型的晶体管。线性放大的动态范围直流工作点是由负荷电阻,偏置电源电压,电阻RA和RB(决定其直流的工作栅压)以及MOSEFT本身的特性性来决定的。MOSFET作射频放大器。当MOSFET被偏置到线性放,就可应用图6-3的等效电路。下一节还要应用等效电路来推导放大器增益的表示式。

MOSFET作射频放大器

MOSFET作射频放大器

如前所述,上述放大器中只有在相当低的RF频率时才能应用增强型元件。工作频率较高,则可以采用栅极偏置的耗尽型元件或者MOS四极管。四极管的结构示于图6-5。(注意当中的N+扩散区没有电极接线。)MOSFET作射频放大器。当感生N-型沟道延伸在漏和源之间的整个导电通路时,栅极2起了静电屏蔽的作用,从而减小有效的负反馈电容。

MOSFET作射频放大器

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