浅析薄膜场效应晶体管的工作结构及其特性分析

Welmer薄膜晶体管在制作工艺和材料组合方面是不同于绝缘栅MOSFET，但其结构和工作方式却是十分相似的。薄膜晶体管不用硅材料，工艺过程中也不用扩散技术。相反地，它是利用非常薄的不同材料组合而构成晶体管，各种薄层材料系生长和蒸发上去。图5-18示意了两种结构不同的薄膜晶体管。

薄膜场效应晶体管

Welmer器件所用的半导体为硫化镉（Cds），而绝缘栅为蒸发的-氧化硅（S1O）薄层。用蒸发金所形成的金层电极系作为栅，漏和源区。（值得注意，源、漏区仅由金属电极本身所组成。）薄膜场效应晶体管的尺寸与硅-绝缘栅MOS器件相差不多。薄膜晶体管的工作理论以及电学特性与MOSFET没有实质性的区别。

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