浅析结型场效应晶体管的截面图示意图及特性

初期企图制作与今天所用的MOS器件相仿的面型场效应晶体管遭到了失败，因为要制备足够均匀的导体表面是不可能的。

虽则外加栅压会把荷电的载流子吸引到半导体表画，但是表面陷阱可能多到把所有的电荷都俘获住，这样，电荷就变成不会移动的了。

为了战胜表面态的问题，Shock1ey开拓了半导体体内的场效应与MOS相象，单极晶体管（不是单结晶体管，请别混淆-译者注）也是依靠栅压调制漏-源电极之周导电沟道的宽度来工作的。两种器件之固有一定的相似性。单极（或者叫做结型场效应晶体管）管的横截面示于图5-17。

单极晶体管定性的工作理论是十分简单的。制作晶体管的N-型硅片其电阻率一般约为1-10欧姆-厘米，而p⁺区掺杂到简倂化的程度。两个栅极持有的电压应使两个二极管（由p⁺区和N衬底构成的）处于反向偏压。N区的电阻率要比P⁺区高得多；这样，就正象图5-17所示的那样，两个二极管的耗尽区几乎都延伸在N-型体内那一边。如前所见，这些耗尽区是由离化的杂质组成，（这里为离化的施主）而不包含可动的载流子。因而耗尽区是不导电的。两种二极管中，随便那一个反向电压增大，它的耗尽区就要伸强变宽，从而减小了漏-源沟道的横截面积。这样，漏-源的电导率也随之减小，根据定义，器件仍以耗尽型的方式工作。结型场效应晶体管也只能以耗尽型的方式工作，因为只有反向偏压才能引起耗尽层的伸从而导致漏-源电导率的减小。两个栅极中，其中一个也罢，二个同时也罢，都不能加上正偏压而使器件正确地工作，因为它们将开始洩漏电流。

除了不可能有增强型的工作方式之外，相对于MOS而雷，结型场效应晶体管的另一个弱点在于它的输入阻抗较低。因为结型的栅极不是绝缘的，而MOS结构的栅极是绝缘的。因而栅极上的输入阻抗也就是反向偏置P-n结的阻抗。与绝缘栅结构相比，这个阻抗就要低一些，同时它还随反向偏压的大小不同而改变。

结型场效应晶体管的I-V特性曲线（以漏电流对漏-源电压作图，以栅压作为参变量。）十分类似于耗尽型MOS器件。

由于夹断机构也相似，所以电流曲线趋于能和。（在结型FET中，当两个耗尽区相遇或者完全地阻塞沟道时，就发生了夹断。）N-沟道结型FET的典型曲线十分类似于图5-14的曲线。

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