解析MOS晶体管的几何图形结构示意图分析

绝缘栅场效应晶体管许多重要的电学特性与器件的几何结构关系极大。特别是跨导gm，VG=0时的原始漏-源电流和极间电容都是MOSFET几何结构的函数。

图5-11所示的结构用以制作增强型器件。这种结构试图通过增大金属栅极和N⁺漏，源区之间复盖区域的间距来减小其栅-漏和栅-源电容。MOS晶体管的几何图形结构。整个沟道仍然复以栅极，增强型器件也一定要采用这种结构。

根据定义，耗尽型元件在零栅压时，就有连通漏-源的原始沟道。这样，纵使不完全控制整个沟道而调制其部分沟道电阻就会产生可观的电导。采用偏置栅极的几何结构就可以制作栅-漏电容减小相当多的耗尽型MOSFET。图5-12示其N-沟道耗尽型器件，设计该结构是为了减小其栅-漏反馈电容CGD。MOS晶体管的几何图形结构。图5-13表示为了减小CGD及CGs（栅-源电容）而设计的结构，两种器件中，沟道的调制面积减少了，因而与漏源尺寸一样而全部加复栅极的相似MOS结构相比，gm将有所降低。N-型沟道耗尽型MOSFET的典型电学特性示图5-14。

几何结构不同的几种MOSFET示于图5-15a-b中。另外图5-16展示了直径1时的硅片的放大图，其中包含各种几何结构的MOS晶体管，可谓花式品种俱全，为了实验的目的，每种结构都较普通的晶体管大。

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