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解析半导体的扩散电流的作用及其特性定义分析
信息来源： 时间：2021-12-31
解析半导体的扩散电流的作用及其特性定义分析
半导体的扩散电流
虽然在MOS晶体管中，主要是由漂移而引起电流的流动，其他导电机构我们也要扼要地加以说明。至此提到的方程式未考虑由于载流子分布的不均匀性而引想的扩散电流。电流密度
仅由漂移而产生，其前提为样品中空穴和导带电子的分布到处都是均匀的。当这些载流子分布不均匀时，就存在着载流子的濃度梯度，从而产生扩散电流。总而言之，空穴的扩散电流密度（一维情况下）为
而电子的扩散电流密度为
式中Dn和Dp分别为电子和空穴的扩散系数。它与迁移率的关系由著名的爱因斯坦关保式给定：
和
其中k为波尔茨曼常数，而T为绝对温度的数值。半导体中，总的电流密度为漂移和扩散分量和。在一维我俩得到
在三维的情无下，其结果为
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