自对准栅极MOS场效应晶体管和集成电路分析

通常制作增强型MOS场效应晶体管和MOS集成电路的技术要求栅电极的长度稍大于漏-源之间的间距。这个要求是基于这样的事实，即在漏源区扩散进入硅衬底之后，通常必须使栅电极与漏区和源区对准。任何偏差都会因栅极不能完全复盖两个扩散区之间的区域而使器件失效。栅电极的设计长度稍大于漏源间距，虽然可以消除因为栅极对不准而引起的器件失效，但是由于栅电极与漏-源扩散区重迭所引起的相当大的寄生电容，将会使各个器件的高频特性受到严重损害，使线路速度下降。然而，如果首先确定栅电极的位置，随后用栅极作为掩模来确定漏区和源区就可以制造出自对准绝缘栅场效应晶体管结构，而栅-漏和栅-源重迭非常小。

最近，已出现了几项新的工艺技术，使得能够采用常规方法制造自对准栅极MOS场效应晶体管和MOS集成电路。

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