高频绝缘栅MOS场效应晶体管的结构及工作频率

近来，对于发展绝缘栅场效应晶体管结构作了大量的研究工作，这种结构与普通的p沟道硅MOS场效应晶体管比较，工作频率更高。因为提高跨导与有源沟道电容之比和消除与器件结构有关的所有寄生电容就能提高绝缘栅场效应晶体管的最高工作频率，一般在三个方面做出了努力：

1、对绝缘栅场效应晶体管设法采用高迁移率衬底材料。

2、通过应用自对准栅极的绝缘栅场效应晶体管结构，设法使沟道长度短的器件的寄生栅-漏和栅-源电容减到最小。

3、设法解决沟道长度极短的绝缘栅场效应晶体管的制作问题，以获得高跨导和低有源沟道电容。

上述三个方面的最新发展将在以下几节中详细阐述，制作高速MOS场效应晶体管的其它途径也同时加以讨论。

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