MOS场效应晶体管渡越时间的考虑及工作频率解析

对于用轻掺杂衬底制作并有完全自对准的绝缘栅场效应晶体管，它的寄生栅-漏，栅-源和漏-衬电容影响可以忽略不计，器件最高工作频率受载流子从源区运动到漏区的渡越时间的限制。在这样的条件下，最大工作频率等于

式中，渡越时间t等于

现在，当晶体管在夹断点以下工作时，V等于漏电压VD。然而，当器件在饱和漏电流区的夹断点以上工作时，VG-VT将加在沟道上，VD-（VG-VT）将加在漏极耗尽区。如果漏极耗尽区的宽度远小于沟道长度，载流子穿越耗尽区所需时间小于其穿越沟道所需时间，因为在漏区附近存在相当高的电场强度。因此，对于在夹断点以上的漏电压，源-漏渡越时间近似等于

器件的最高工作频率可以表示成

对于在夹断点以下的漏极电压，不难推导出类似的表达式。

在漏-源间距极小时，载流子迁移率是外加漏极电压的函数，（7.30），（7.31）和（7.32）应作相应的修改。

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