MOS场效应晶体管表面迁移率随外加漏极电压的变化

信息来源: 时间:2021-12-15

MOS场效应晶体管表面迁移率随外加漏极电压的变化

虽然一级理论预计MOS场效应晶体管的跨导与扩散漏区和源区之间的间距成正比,但是,在沟道长度很短时,这种关系不再成立,事实上,硅器件单位沟道宽度的跨导趋向一个极限值,因为在非常高的横向电场作用下,沟道内载流子的迁移率在给定的栅极电压下不再是常数,而开始随横向电场强度的增加而减小。电场强度超过临界值时,载流子漂移速度趋向饱和,所观测到的载流子迁移率随电场而呈相反地变化。这种现象在预测沟道长度仅几微米或更短的MOS场效应器件的电特性方面是极为重要的。

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