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MOS场效应晶体管夹断点以上随外加漏-源电压而变的电导
信息来源： 时间：2021-12-1
MOS场效应晶体管夹断点以上随外加漏-源电压而变的电导
不完全饱和电流：在夹断点以上随外加漏-源电压而变的电导
一般说来，当外加漏电压大于夹断电压时，只有在沟道非常长的MOS场效应晶体管中才能观察到漏电流完全饱和的现象。然而当MOS场效应晶体的漏-源间距L逐步减小，夹断以上的漏电流饱和特性将迅速发生畸变。对于用高电阻率衬底制作的MOS器件来说尤其是这样，在夹断点以上工作的MOS场效应晶体管，使其饱和电流下降的机理有以下三种：
1、用扩展漏耗尽区来调制有效沟道长度。
2、漏电场对沟道的静电反馈。
3、漏耗尽区扩展和穿通到源区之后，在漏区和源区之间的空间电荷限制电流。
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