MOS集成电路的使用方法保护措施及注意事项

MOS集成电路从其结构上看，比双极型容易遭受破坏。使用MOS集成电路与使用高频晶体管一样，应加注意。图3.161给出各种破坏的例子。

（1）栅破坏

氧化膜的绝缘耐压约为100V，如图3.162^37）所示。烙铁漏电、电测量仪器的漏电，当然也会引起栅电极的静电破坏。目前对这种破坏采取了图3.162所示的各种保护措施，但使用时还应注意下述事项。

①运输和保存时用铝箔或导电性容器密封起来。

②工作时人体通过高电阻接地。

③为防止电测量仪器的来自交流电源的漏电，应通过低电阻接地。

④烙铁外壳应注意接地，以防漏电。

⑤避免高压仪器、旋转仪器的火花等感应的漏电。

（2）额定值

一般在-30V到+0.3V的范围内使用，特别对于加正向电压要严加注意，因为P-N结处于正向就有电流流过，极易受破坏。所以应注意下述事项。

①使用-30V以下的电源。

②绝不能加正向电压。

③不用的管脚，接地或加规定的电压，不得开路。

（3）环境条件

由于MOS晶体管是高阻抗器件，高湿度和表面污染会使器件变坏。MOS集成电路的使用方法。与一般电子元件一样，应尽量避免在高温、高湿、粉尘等条件下使用。

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