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MOS晶体管的检测及其测量方法和输出、入特性详解分析
信息来源： 时间：2021-11-11
MOS晶体管的检测及其测量方法和输出、入特性详解分析
MOS晶体管的检测
同其它四端器件一样，亦有输入特性、转移特性、输出特性等特性。现以N沟道耗尽型斩波器用的MOS场效应晶体管3SK21日为例说明检测方法（参见表3.21）。
测量栅漏泄电流相当于测量氧化层绝缘膜的漏泄电阻（6Ⅹ1012Ω以上），应完全在静电屏蔽的条件下进行，场效应晶体管管座玻璃的外表面漏电也有图3.137那样的问题。
为了直接测量，应采用高输入电阻的振簧式静电计，如图3.138所示，但亦可用图3.139所示的藉助gm的简便方法。
比栅夹断电压更负的输入信号不被传递，图3.140给出测量方法和特性图。
栅输入电容，就其结构而言完全是一个电容器，但根据其在表面、氧化膜中和界面处存在的电荷，而呈现MOS结构所特有的电压依从关系（参见图3.141）。
等于gm的正向转移导纳，等效于直流gm的漏电流测量方法及其特性分别示于图3.142、图3.143。输出特性中的漏-源破坏电压，导通电阻和截止电阻的测量，分别如图3.144、图3.145所示。
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