MOS存储器阵列及其MOS存储器是如何构成电路图分析

本节将要叙述实际存储器如何构成。在构成存储器时，外围电路有使用MOS电路和使用双极型电路的两种情形，本节只讲使用MOS电路的情形。

（1）MOS存储器

由于MOS电路容易集成并且功耗低，如充分利用这些特点即可在单片上制造全部存储单元和外围电路。从这种意义上来说，希望对MOS存储单元使用MOS外围电路。但考虑到速度等因素时，MOS外围电路就不一定能充分满足要求。图3.79（a）是用447个P沟道MOS晶体管构成的16字×4位的MOS存储器框图，图3.79（b）是它的电路图。

用于选通地址时，同5输入端“与”电路的方式相比，采用树枝形地址译码器可减少元件数目。这种译码器有16个输出功能，譬如，当X1~X4全部为+V时，Q1~Q4全部导通，所以可选择一个地址，存储单元的地址线电位从+V（+18V）变到+10V。为了保证非选通状态下的地址线的电位为+V，Qo被接入。存储单元部分是上节已经讲过的，在写入二值信息的“0”信息时，位线万由Q6、Q7的“与”电路驱动。写入“1”时在位线D上加正向脉冲。Q8的器作用是使位线万的电位复原。此存储的周期为2~3μs。MOS存储器阵列。

用互补型存储单元构成存储器时也完全一样。16字×4位的存储器的结构如图3.79（a）的框图所示，64个存储单元及其外围电路均由MOS晶体管构成。MOS存储器阵列。图3.80是16字的XY选通地址译码器，由32个MOS晶体管构成。如选通一个X信号和一个Y信号，则16个N型晶体管中只有一个导通，且信号被译码。此译码器可在存取时间50ns，写入时间75ns的速度下工作。

以上是既包括MOS存储单元、也包括外围电路，全部用MOS管构成的情形。为了提高外围电路的速度，外围电路改用双极型晶体管构成，而存储单元部分仍用MOS管制作，以提高集成度。在这种场合，为使性质不同的两种电路组合起来，一定要用多片方式。例如，采取128字×64位P沟道MOS存储单元时，可在读出周期为35ns，写入周期为60ns的速度下工作。

（2）相联存储

相联存储的应用领域因容量而异。大容量相联存储器虽也能用作主存储器，但现有产品多为小容量的，下面介绍小容量存储器的应用。

首先是用作函数表。对应于变数X求函数f（x）时，如将f（x）编制成表存储起来，一经询问到x的比特位置，就能很容易求得f（x）值。

其次，在时间分割的计算机中，将连续的地址存入预定大小的存储范围，并将其处理成页面，作为页面地址方式使用。这样可使主存储装置得到有效的利用。

再就是供情报检索之用。与表现有情报特点的询问情报联系起来，抽出所希望得到的情报。

除上述的应用领域之外，今后还会更广泛地用作各种函数表或主存储器的辅助装置，但很难用作大容量的外存储器。MOS存储器阵列。从速度方面来看，存储单元应以使用MOS为主，而外围电路应以使用双极型为主

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