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概述MOS集成电路设计基本电路举例详解
信息来源： 时间：2021-4-23
概述MOS集成电路设计基本电路举例详解
图3.20是由P沟道晶体管构成的“或非”门电路。该电路采用漏接地的形式，备有输出缓冲器。大规模集成电路中的电路也常用这种门电路来组合。
N沟道144位存储器是作为高速MOS存储器研制的18），用于该存储器的单元电路如图3.21所示。它是由触发器和写入一读出门构成的简单电路，为了实现40毫微秒的高速度的写入时间，我们采用迁移率高的N沟道。由于用通常工艺做出的MOS管为耗尽型，栅偏压为零时有电流流过，但衬底反向偏置以后就变为阈值电压为正的增强型，元件之间是彼此隔离的。
图3.22给出移位寄存器电路的一部分。T1、T4用作传输门，只是在各自加时钟
时，才转移前级的状态。加到T1地址线和T4的时钟信号互为反相，时钟信号实际上是由单相脉冲通过两个倒相器产生的。T2、T5的栅电容用于暂存。最大集成度为单片集成200位，亦有在衬底上集成2,000位的大规模集成电路化的报导19）。
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